系統(tǒng)能通過(guò)配置不同老化板來(lái)滿足Si/SiC/GaN芯片的
各種封裝形式二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、橋堆和 IGBT 單管、SiC單管等半導(dǎo)體分立器件的
高溫反偏/柵偏可靠性測(cè)試和老化篩選。
┃ 高溫試驗(yàn)箱 | R.T.~(200℃);溫度均勻性:≤±3℃(空載);波動(dòng)度:≤±0.5℃; |
┃ 容量 | 16個(gè)試驗(yàn)通道;單板80工位 / 整機(jī)1280工位; |
┃ 試驗(yàn)電源 | 配置反偏電源 *8臺(tái);Max 2000V; 柵偏電源*4臺(tái);Max 60V; |
┃ 驅(qū)動(dòng)板數(shù)量 | 16塊; |
HTRB 電壓檢測(cè):0.0~2000.0V;精度:±(0.5% rdg.+ 0.1) V;分辨率:0.1V 電流檢測(cè):1nA~50.00mA;精度:±(0.5% rdg.+0.01)μA;分辨率:1nA | |
HTGB 電壓檢測(cè):0.0~60.0V;精度:±(0.3% rdg.+ 0.2) V;分辨率:0.1V 電流檢測(cè):1pA~666μA;精度:±(1% rdg.+0.1)μA;分辨率:1pA |