WLXB6000 (SiC Wafer Level)
SiC晶圓高溫老化測試系統(tǒng)+晶圓上下料機(jī)
適用于8英寸及以下、同時(shí)5片晶圓獨(dú)立高溫柵偏試驗(yàn)HTGB、高溫反偏試驗(yàn)HTRB、Vth測試及老化篩選。
系統(tǒng)符合并滿足JEP183、MIL-STD-750D、GJB128B、AEC-Q101等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)；提供API接口，開放設(shè)備狀態(tài)、通道狀態(tài)、試驗(yàn)數(shù)據(jù)、失效數(shù)據(jù)等對(duì)外接口，可部署在私有云或者公有云上，實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備、工作人員、任務(wù)及數(shù)據(jù)的數(shù)字化管理，提升試驗(yàn)效率及試驗(yàn)規(guī)范化、標(biāo)準(zhǔn)化程度；配備老化夾具搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)上下料機(jī)和老化測試臺(tái)之間老化夾具搬運(yùn)；搬運(yùn)機(jī)構(gòu)具備自動(dòng)升降功能，手動(dòng)或自動(dòng)運(yùn)動(dòng)到上下料機(jī)和測試臺(tái)，自動(dòng)從上下料機(jī)和老化測試臺(tái)工位取放夾具；常溫下晶圓Die上的壓痕為點(diǎn)狀，隨機(jī)選取若干壓痕點(diǎn)位進(jìn)行測量，壓痕深度200~400nm。
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┃ 試驗(yàn)數(shù)量 |
整機(jī)支持3840（768*5）個(gè)通道同時(shí)老化; |
┃ 試驗(yàn)溫度 |
每區(qū)加熱臺(tái)室溫～200℃，準(zhǔn)確性±2℃，溫度過沖≤3℃; |
┃ HTRB ┃ IDSS電流檢測 |
電壓0～2000V，分辨率1V; 0.1μA～1mA，分辨率0.1uA，檢測精度±(1%rdg.+2LSB) |
┃ HTGB ┃ IGSS電流檢測 |
電壓±60V，分辨率0.1V; 10pA～500uA，分辨率10pA，檢測精度±(1%rdg.+50pA) |
┃ 閾值電壓檢測 ┃ 保護(hù)氣壓
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0-10.0V，分辨率0.1V; 0～4bar惰性氣體
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研發(fā)&制造
售后支持
銷售服務(wù)
