系統能滿足各種封裝形式的二極管、三極管、場效應管、可控硅、橋堆和 IGBT 單管等半導體分立器件的高溫反偏試驗(HTRB)和老化篩選。
┃ 高溫試驗箱 | R.T.~(210℃);溫度均勻性:≤±3℃(空載);-波動度:≤±0.5℃; |
┃ 容量 | 16個試驗通道;單板40個工位 / 整機640工位; |
┃ 試驗電源 | 配置反偏電源 *4臺;Max 6000V; 反偏電源*4臺;Max 3000V; |
┃ 驅動板數量 | 16塊; |
電壓檢測:0.0~6000.0V;精度:±(0.5% rdg.+ 1LSB ) ;分辨率:1V 電流檢測:0.001μA~50.00mA;精度:±(1% rdg.+0.01)μA;分辨率:0.001μA |