貼合AEC-Q101標準要求開發設計,
功能覆蓋二極管、三極管、MOS管、IGBT單管等Si / SiC / GaN分立器件的間歇壽命試驗IOL
和穩態壽命試驗CFOL;系統可直觀監測IOL試驗全過程中每個DUT的△Tj。
┃ 風冷試驗腔 | 16通道;室溫風冷型 |
┃ 容量 | 串聯模式:單板 80 工位同時檢測△Tj / 整機1280工位; 并聯模式:單板 48 工位同時檢測△Tj / 整機 768工位 |
┃ 試驗電源 | (0~60V/2400W)*16臺 |
┃ 驅動檢測板
| 數量: 16塊 |
恒流源: 單板4路20A恒流源輸出,并聯可達60A,可用于IGBT單管; | |
試驗電壓檢測: 0.00V~99.9V;精度:±(1% + 1LSB); | |
Id檢測范圍: 0.1A~20.0A(二極管/MOS/IGBT);0mA~400mA(三極管/MOS) | |
Vf檢測精度: ±1mV | |
Im發生范圍: 0~99.9mA ; 精度:±(1% + 1LSB) | |
Tj結溫測試: 20℃~175℃;精度:±(1% + 1LSB) |