IGBT：絕緣柵雙極性晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)。
是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
如何才能實現高的可靠性呢？這可以分為設計階段和批量生產兩個方面去實現：
設計階段考慮之一：封裝材料的選取，比如芯片技術、焊接材料、外殼封裝材料、芯片鈍化層的材料；
設計階段考慮之二：封裝連接工藝的采用，比如焊接工藝、燒結工藝、鍵合線的幾何形狀、彈簧連接；
設計階段考慮之三：芯片的布局，比如實現更好的均流，降低電磁干擾的影響；
批量生產中主要考慮穩定的工藝實現過程及其精準的控制。
在設計階段對產品進行可靠性測試顯得尤為重要。根據相應的國際標準進行了以下可靠性測試：
HTRB ，高溫反偏測試
HTGB，高溫門極（柵極）反偏測試
H3TRB ，高溫高濕反偏測試
HTS ，高溫存儲測試
LTS ，低溫存儲測試
TC ，熱循環測試
PC ，功率循環測試
Vibration ，振動測試
Mechanical shock ，機械沖擊測試
現有多家IGBT生產，使用以及評估公司與我司合作
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試驗內容 |
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對應型號 |
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試驗特征 |
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BTR-T660 |
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上下半橋同時加載高壓，最大2000V |
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BTR-T610 |
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上半橋試驗完畢后自動切換下半橋同時加載高壓，最大2000V |
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